士蘭微電子成功參展 AUTO TECH 2024 華南展

展會(huì)無(wú)憂網(wǎng)2024-06-05 17:07:12展會(huì)資訊：

隨著中國(guó)新能源汽車行業(yè)迅速發(fā)展，2023年全國(guó)狹義新能源乘用車銷量已達(dá)775萬(wàn)臺(tái)，占全國(guó)狹義乘用車約36%，而預(yù)計(jì)到2025年，新能源汽車滲透率或?qū)⒔咏?0%。而伴隨新能源汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)，高可靠性、高智能化要求成為新能源汽車的發(fā)展方向，帶來(lái)車載芯片的功率密度、可靠性要求增加。

針對(duì)新能源汽車充電需求，士蘭推出適用于不同功率段的最新一代IGBT、SJ MOS、SiC MOS等功率器件以滿足3.3kW至22kW功率段的車載充電機(jī)（OBC）需求，提供高效、安全的一站式OBC功率器件解決方案。

針對(duì)車身要求增加現(xiàn)狀，士蘭自主研發(fā)40V-150V不同功率段MOSFET，根據(jù)應(yīng)用需求，不斷更新產(chǎn)品封裝形式、迭代功率等級(jí)，應(yīng)用于車身電子、EPS及泵類等多塊細(xì)分區(qū)域，達(dá)到國(guó)產(chǎn)替代需求。

作為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體（IDM）的企業(yè)之一，士蘭微電子本次攜帶新能源汽車-汽車主/輔驅(qū)功率模塊、車規(guī)級(jí)功率器件、BUCK轉(zhuǎn)換器、車載空調(diào)智能功率模塊等產(chǎn)品，參加5月15-17日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦的AUTO THCH 2024廣州國(guó)際汽車技術(shù)展覽會(huì)，展位號(hào)A117。

新能源汽車主驅(qū)

Silan B7 Pro單并模塊

SGM480SS8B7TFM

SGM480SS8B7TFM單并模塊是士蘭微電子基于FS5++工藝自主研發(fā)的，單并即可實(shí)現(xiàn)120kW功率范圍的出流能力，其峰值電流能力可達(dá)350ARMS，具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級(jí)，為嚴(yán)苛環(huán)境條件下的逆變器運(yùn)行，提供更可靠的保障。

應(yīng)用：混動(dòng)汽車等應(yīng)用領(lǐng)域

功能特點(diǎn)：

1. VCES 750V

2. Ic nom ≥480A

3. Tjop max 175℃

4. 低 VCE(sat)同時(shí)具備正溫度系數(shù)

5. 低開(kāi)關(guān)損耗

6. 封裝形式: Silan B7封裝

7. DBC襯底可替換

8. 小體積高效率高性能

9. 低成本的器件方案

黑金剛IGBT功率模塊

SGM1000PB8F1TFM_3

黑金剛模塊建立在成熟的F1系列封裝上，是士蘭微電子基于FS5++工藝自主研發(fā)的并進(jìn)行了系統(tǒng)優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的性能，具有更高的高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級(jí)，為更為嚴(yán)苛環(huán)境條件下的逆變器運(yùn)行，提供更可靠的保障。

應(yīng)用：純電動(dòng)汽車等應(yīng)用領(lǐng)域

功能特點(diǎn)：

1. VCES 750V

2. Tjop max 175℃

3. 低 VCE(sat)同時(shí)具備正溫度系數(shù)

4. 低開(kāi)關(guān)損耗

5. 低 Qg 和 Cres

6. 采用AMB工藝

7. 高性能PPS外殼

8. IGBT集成片上溫度檢測(cè)功能

9. 超聲焊信號(hào)端子

B3D模塊

SSM1R7PB12B3DTFM

SSM1R7PB12B3DTFM是士蘭微電子基于自主研發(fā)的SiC MOS 芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)的六單元拓?fù)淠K，具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級(jí)，為嚴(yán)苛環(huán)境條件下的逆變器運(yùn)行，提供更可靠的保障。

應(yīng)用：純電動(dòng)汽車等應(yīng)用領(lǐng)域

功能特點(diǎn)：

1. VDSS 1200V

2. Tjop max 175℃

3. 低 Rdson，1.7mΩ 典型值

4. 低開(kāi)關(guān)損耗

5. 低 Qg 和 Crss

6. Si3N4 陶瓷基板

7. 芯片納米銀燒結(jié)

8. 低雜感

9. 每相內(nèi)置 NTC

10. 直接水冷基板，低熱阻

車規(guī)分立器件

IGBT

Silan分立器件

應(yīng)用：OBC、光伏、充電樁等

特點(diǎn)：

1.采用第五代場(chǎng)截止工藝制作

2.低導(dǎo)通損耗

3.快開(kāi)關(guān)速度

推薦型號(hào)：

高壓MOSFET

Silan分立器件

應(yīng)用：OBC、充電樁等

特點(diǎn)：

1. 士蘭自研超結(jié)MOS、SiC MOS

2. 低導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗

3. 高功率密度

低壓MOSFET

Silan分立器件

應(yīng)用：車身域、EPS、泵類等

特點(diǎn)：

1. 士蘭LV MOS工藝制造

2. 40V-150V不同電壓等級(jí)及功率等級(jí)

3. 封裝覆蓋范圍廣

4. 較低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能

車規(guī)芯片

汽車級(jí)H橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片

SQ9702/3

應(yīng)用：

1. 車身電機(jī)：天窗、車窗、尾門、座椅等

2. 電子駐車

3. 其他有刷電機(jī)

4. 高邊或低邊獨(dú)立預(yù)驅(qū)的應(yīng)用

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1. 寬輸入電壓：5.5V~45V

2. 單通道 H 橋柵極驅(qū)動(dòng)，支持100%PWM占空比

3. 三種控制接口：PH/EN、獨(dú)立H橋和PWM

4. 用于配置的串行接口（SQ9703）

5. 智能柵極驅(qū)動(dòng)，可調(diào)壓擺率，優(yōu)化EMI

6. 支持1.8V、3.3V和5V邏輯輸入

7. 集成1路電流分流放大器

8. 集成PWM電流調(diào)節(jié)

9. 低功耗睡眠模式

10. 內(nèi)置診斷：電源欠壓（UVLO）、電荷泵欠壓（CPUV）、過(guò)流保護(hù)（OCP）、柵極驅(qū)動(dòng)故障（GDF）、過(guò)溫警告（OTW、熱關(guān)斷（TSD）等

11. AEC-Q100，Grade 1

單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

SQH2150

SQH2150是一款高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有15A/15A的拉/灌電流峰值能力；適用于基于IGBT/SiC器件的混合驅(qū)動(dòng)芯片。

應(yīng)用：SiC/IGBT混合驅(qū)動(dòng)

特點(diǎn)：

1. SQH2150提供5KVrms電氣隔離和100V/ns抗擾度能力,CMTI≥100V/ns

2. 15A/15A最大拉/灌電流能力

3. SOIC-28

車規(guī)級(jí)降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器

SKQ3430/20

SKQ3430/20是一款車規(guī)級(jí)BUCK轉(zhuǎn)換器，具有3.0V-40V寬輸入電壓范圍，2A/3A負(fù)載電流能力，極輕載效率>91.6% @1mA，空載待機(jī)電流<5uA。具有高效率、低功耗等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

應(yīng)用：T-BOX、車載娛樂(lè)系統(tǒng)、ADAS、車身電子等

特點(diǎn)：

1. 寬輸入電壓范圍：3.0V-40V

2. 輸出電流：2A/3A

3. 超低靜態(tài)電流：5uA @empty load

4. 開(kāi)關(guān)頻率：400KHz/1.4MHz/2.1MHz

5. 峰值效率：>96%

6. AEC-Q100

7. 緊湊型封裝：QFN12（2*3）

期待與您相遇 AUTO TECH 2025 華南展——參展資訊：李經(jīng)理 132 6539 6437（同微信）/ 參觀資訊：楊女士131 7886 7606（同微信），更多資訊請(qǐng)登錄：www.china-autotech.com

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